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SI4913DY-T1-GE3

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Artikelnummer
SI4913DY-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI4913DY-T1-GE3.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
SI4913DY-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
7.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Leistung max
1.1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO

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