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SIA427ADJ-T1-GE3

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Artikelnummer
SIA427ADJ-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SIA427ADJ-T1-GE3.pdf
Gesamt:$0.21660
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Artikelnummer
SIA427ADJ-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 5V
Vgs (Max)
±5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2300pF @ 4V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / fall
PowerPAK® SC-70-6

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