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IPAN80R360P7XKSA1

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Artikelnummer
IPAN80R360P7XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPAN80R360P7XKSA1.pdf
Gesamt:$2.89000
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(In US-Dollar)
1Stck
$2.89000

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Artikelnummer
IPAN80R360P7XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
13A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 280µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
930pF @ 500V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
30W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220 Full Pack
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack

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