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FCPF190N65FL1

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Artikelnummer
FCPF190N65FL1
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FCPF190N65FL1.pdf
Gesamt:$4.00000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$4.00000

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Artikelnummer
FCPF190N65FL1
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
20.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3055pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
39W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220F
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack

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