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FQP6N15

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Artikelnummer
FQP6N15
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 6.4A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FQP6N15.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
FQP6N15
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 6.4A TO-220
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
63W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Paket / fall
TO-220-3

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