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PHX18NQ11T,127

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Artikelnummer
PHX18NQ11T,127
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET N-CH 110V 12.5A SOT186A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
PHX18NQ11T,127.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
PHX18NQ11T,127
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET N-CH 110V 12.5A SOT186A
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
110V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
12.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
635pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
31.2W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220F
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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