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BSO612CVGHUMA1

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Artikelnummer
BSO612CVGHUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
BSO612CVGHUMA1.pdf
Gesamt:$0.44506
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$0.44506

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Artikelnummer
BSO612CVGHUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
Teilestatus
Active
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 20µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
15.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
340pF @ 25V
Leistung max
2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
PG-DSO-8

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