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SI7414DN-T1-E3

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Artikelnummer
SI7414DN-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI7414DN-T1-E3.pdf
Gesamt:$0.67601
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(In US-Dollar)
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$0.67601

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Artikelnummer
SI7414DN-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
5.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8
Paket / fall
PowerPAK® 1212-8

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