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R6004JND3TL1

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Artikelnummer
R6004JND3TL1
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS
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$0.73402

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Artikelnummer
R6004JND3TL1
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.43 Ohm @ 2A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id
7V @ 450µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.5nC @ 15V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
260pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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