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DMN2100UDM-7

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Artikelnummer
DMN2100UDM-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMN2100UDM-7.pdf
Gesamt:$0.17128
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Artikelnummer
DMN2100UDM-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
3.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
555pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-26
Paket / fall
SOT-23-6

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