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STS1HNK60

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Artikelnummer
STS1HNK60
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STS1HNK60.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
STS1HNK60
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
300mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.7V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
156pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Tc)
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SO
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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