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SUP40P10-43-GE3

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Artikelnummer
SUP40P10-43-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SUP40P10-43-GE3.pdf
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Artikelnummer
SUP40P10-43-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
36A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
43 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
4600pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Paket / fall
TO-220-3

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