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NTJD1155LT1

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Artikelnummer
NTJD1155LT1
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Artikelnummer
NTJD1155LT1
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Leistung max
400mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
SC-88/SC70-6/SOT-363

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