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RSD200N10TL

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Artikelnummer
RSD200N10TL
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RSD200N10TL.pdf
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Artikelnummer
RSD200N10TL
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
48.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2200pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
20W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
CPT3
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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