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SI4286DY-T1-GE3

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Artikelnummer
SI4286DY-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI4286DY-T1-GE3.pdf
Gesamt:$0.50840
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$0.50840

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Artikelnummer
SI4286DY-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32.5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
375pF @ 20V
Leistung max
2.9W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO

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