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SCT20N120

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Artikelnummer
SCT20N120
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SCT20N120.pdf
Gesamt:$15.73000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$15.73000

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Artikelnummer
SCT20N120
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290 mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 20V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 400V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
175W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
HiP247™
Paket / fall
TO-247-3

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