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SI4505DY-T1-GE3

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Artikelnummer
SI4505DY-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI4505DY-T1-GE3.pdf
Gesamt:$0.61600
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$0.61600

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Artikelnummer
SI4505DY-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
Teilestatus
Active
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V, 8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6A, 3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Leistung max
1.2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO

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