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NVMFD5C650NLWFT1G

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Artikelnummer
NVMFD5C650NLWFT1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$1.20135
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.20135

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Artikelnummer
NVMFD5C650NLWFT1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
21A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 98µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2546pF @ 25V
Leistung max
3.5W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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