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FCD1300N80Z

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Artikelnummer
FCD1300N80Z
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 4A TO252
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FCD1300N80Z.pdf
Gesamt:$0.76969
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Artikelnummer
FCD1300N80Z
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 4A TO252
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 400µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
880pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
52W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
DPAK
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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