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SCT2280KEC

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Artikelnummer
SCT2280KEC
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SCT2280KEC.pdf
Gesamt:$10.53000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$10.53000

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Artikelnummer
SCT2280KEC
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
14A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
364 mOhm @ 4A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1.4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 18V
Vgs (Max)
+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
667pF @ 800V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
108W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247
Paket / fall
TO-247-3

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