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GP1M011A050FH

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Artikelnummer
GP1M011A050FH
Hersteller
Global Power Technologies Group, Inc.
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 11A TO220F
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
GP1M011A050FH.pdf
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Artikelnummer
GP1M011A050FH
Hersteller
Global Power Technologies Group, Inc.
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 11A TO220F
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
670 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1423pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
51.4W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220F
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack

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