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RT1E040RPTR

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Artikelnummer
RT1E040RPTR
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 4A TSST8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Artikelnummer
RT1E040RPTR
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 4A TSST8
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
550mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-TSST
Paket / fall
8-SMD, Flat Lead

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