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IXFQ26N50P3

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Artikelnummer
IXFQ26N50P3
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXFQ26N50P3.pdf
Gesamt:$4.38767
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$4.38767

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Artikelnummer
IXFQ26N50P3
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
26A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
230 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2220pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3P
Paket / fall
TO-3P-3, SC-65-3

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