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PMWD16UN,518

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Artikelnummer
PMWD16UN,518
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
PMWD16UN,518.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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Artikelnummer
PMWD16UN,518
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
9.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
700mV @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
23.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1366pF @ 16V
Leistung max
3.1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package
8-TSSOP

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