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DMN3033LSNQ-7

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Artikelnummer
DMN3033LSNQ-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMN3033LSNQ-7.pdf
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Artikelnummer
DMN3033LSNQ-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.5nC @ 5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
755pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.4W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SC-59
Paket / fall
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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