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SIR618DP-T1-GE3

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Artikelnummer
SIR618DP-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 14.2A SO-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SIR618DP-T1-GE3.pdf
Gesamt:$0.54694
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Artikelnummer
SIR618DP-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 14.2A SO-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
14.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 7.5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
740pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
48W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Paket / fall
PowerPAK® SO-8

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