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STP8NK80Z

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Artikelnummer
STP8NK80Z
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STP8NK80Z.pdf
Gesamt:$3.40000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$3.40000

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Artikelnummer
STP8NK80Z
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-220
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
46nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1320pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
140W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Paket / fall
TO-220-3

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