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SISS65DN-T1-GE3

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Artikelnummer
SISS65DN-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SISS65DN-T1-GE3.pdf
Gesamt:$0.38900
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Artikelnummer
SISS65DN-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
25.9A (Ta), 94A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
138nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
4930pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8S
Paket / fall
PowerPAK® 1212-8S

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