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TK8S06K3L(T6L1,NQ)

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Artikelnummer
TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$0.46200
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Artikelnummer
TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
54 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
25W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
DPAK+
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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