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SI4100DY-T1-GE3

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Artikelnummer
SI4100DY-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI4100DY-T1-GE3.pdf
Gesamt:$0.62320
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(In US-Dollar)
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$0.62320

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Artikelnummer
SI4100DY-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
63 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
600pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 6W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SO
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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