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FDFS6N754

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Artikelnummer
FDFS6N754
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FDFS6N754.pdf
Gesamt:$0.42504
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$0.42504

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Artikelnummer
FDFS6N754
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
Teilestatus
Last Time Buy
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
56 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
299pF @ 15V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SOIC
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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