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TPS1101DR

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Artikelnummer
TPS1101DR
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TPS1101DR.pdf
Gesamt:$0.97020
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Artikelnummer
TPS1101DR
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
15V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.25nC @ 10V
Vgs (Max)
+2V, -15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
791mW (Ta)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SOIC
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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