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TSM170N06CH C5G

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Artikelnummer
TSM170N06CH C5G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 60V 38A TO251
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TSM170N06CH C5G.pdf
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Artikelnummer
TSM170N06CH C5G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 60V 38A TO251
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
38A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
28.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
46W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-251 (IPAK)
Paket / fall
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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