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EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR

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Artikelnummer
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
Hersteller
Micron Technology
Beschreibung
IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR.pdf
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Artikelnummer
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
Hersteller
Micron Technology
Beschreibung
IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
Teilestatus
Active
Speichertyp
Volatile
Speicherformat
DRAM
Technologie
SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße
1Gb (64M x 16)
Taktfrequenz
533MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
-
Zugriffszeit
-
Speicherschnittstelle
Parallel
Spannungsversorgung
1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur
-40°C ~ 105°C (TC)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
134-VFBGA
Supplier Device Package
134-VFBGA (10x11.5)

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