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FQT13N06TF

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Artikelnummer
FQT13N06TF
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FQT13N06TF.pdf
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Artikelnummer
FQT13N06TF
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
310pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.1W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-223-4
Paket / fall
TO-261-4, TO-261AA

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