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FDMS86310

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Artikelnummer
FDMS86310
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 17A 8-PQFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FDMS86310.pdf
Gesamt:$1.03824
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(In US-Dollar)
1Stck
$1.03824

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Artikelnummer
FDMS86310
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 17A 8-PQFN
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
17A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
6290pF @ 40V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-PQFN (5x6)
Paket / fall
8-PowerTDFN

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