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STW27N60M2-EP

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Artikelnummer
STW27N60M2-EP
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STW27N60M2-EP.pdf
Gesamt:$6.01000
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(In US-Dollar)
1Stck
$6.01000

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Artikelnummer
STW27N60M2-EP
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
163 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1320pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
170W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-3
Paket / fall
TO-247-3

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