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DMT5015LFDF-13

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Artikelnummer
DMT5015LFDF-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMT5015LFDF-13.pdf
Gesamt:$0.21905
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Artikelnummer
DMT5015LFDF-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
50V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
9.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
902.7pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
820mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
6-UDFN2020 (2x2)
Paket / fall
6-UDFN Exposed Pad

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