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TPC8018-H(TE12LQM)

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Artikelnummer
TPC8018-H(TE12LQM)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TPC8018-H(TE12LQM).pdf
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Artikelnummer
TPC8018-H(TE12LQM)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
18A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2265pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SOP (5.5x6.0)
Paket / fall
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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