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RD3S075CNTL1

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Artikelnummer
RD3S075CNTL1
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
NCH 190V 7.5A POWER MOSFET
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Bleifrei / RoHS-konform
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Artikelnummer
RD3S075CNTL1
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
NCH 190V 7.5A POWER MOSFET
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
190V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
7.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
336 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
52W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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