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NVMFSW6D1N08HT1G

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Artikelnummer
NVMFSW6D1N08HT1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
T8 80V 1 PART PROLIFERATI
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$0.74382
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$0.74382

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Artikelnummer
NVMFSW6D1N08HT1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
T8 80V 1 PART PROLIFERATI
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
17A (Ta), 89A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 120µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2085pF @ 40V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.8W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall
8-PowerTDFN, 5 Leads

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