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TPW1R005PL,L1Q

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Artikelnummer
TPW1R005PL,L1Q
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1Stck
$1.21800

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Artikelnummer
TPW1R005PL,L1Q
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
45V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
300A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
2.4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
122nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
9600pF @ 22.5V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
960mW (Ta), 170W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-DSOP Advance
Paket / fall
8-PowerVDFN

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