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HGTG11N120CND

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Artikelnummer
HGTG11N120CND
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 1200V 43A 298W TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
HGTG11N120CND.pdf
Gesamt:$3.46000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$3.46000

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Artikelnummer
HGTG11N120CND
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 1200V 43A 298W TO247
Teilestatus
Not For New Designs
IGBT-Typ
NPT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.)
43A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
80A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 11A
Leistung max
298W
Energie wechseln
950µJ (on), 1.3mJ (off)
Eingabetyp
Standard
Gate Charge
100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C
23ns/180ns
Testbedingung
960V, 11A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
70ns
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247

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