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DMN33D8LT-13

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Artikelnummer
DMN33D8LT-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 0.115A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMN33D8LT-13.pdf
Gesamt:$0.05382
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Artikelnummer
DMN33D8LT-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 0.115A
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
115mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.55nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
48pF @ 5V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
240mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-523
Paket / fall
SOT-523

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