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Zuhause Produkte Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln DMN100-7-F

DMN100-7-F

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Artikelnummer
DMN100-7-F
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMN100-7-F.pdf
Gesamt:$0.25718
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(In US-Dollar)		 1Stck
$0.25718

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Artikelnummer
DMN100-7-F
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
240 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
150pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SC-59-3
Paket / fall
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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