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SI7157DP-T1-GE3

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Artikelnummer
SI7157DP-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI7157DP-T1-GE3.pdf
Gesamt:$0.73144
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Artikelnummer
SI7157DP-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
625nC @ 10V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
22000pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Paket / fall
PowerPAK® SO-8

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