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DMTH6010LPSQ-13

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Artikelnummer
DMTH6010LPSQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMTH6010LPSQ-13.pdf
Gesamt:$0.71340
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$0.71340

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Artikelnummer
DMTH6010LPSQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
13.5A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
41.3nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2090pF @ 30V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.6W (Ta), 136W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerDI5060-8
Paket / fall
8-PowerTDFN

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