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CSD18535KTTT

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Artikelnummer
CSD18535KTTT
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 200A TO-263
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
CSD18535KTTT.pdf
Gesamt:$2.79240
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$2.79240

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Artikelnummer
CSD18535KTTT
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 200A TO-263
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
200A (Ta), 279A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
81nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
6620pF @ 30V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
DDPAK/TO-263-3
Paket / fall
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

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