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SUD40N02-08-E3

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Artikelnummer
SUD40N02-08-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 40A TO252
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SUD40N02-08-E3.pdf
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Artikelnummer
SUD40N02-08-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 40A TO252
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2660pF @ 20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
8.3W (Ta), 71W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252, (D-Pak)
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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