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Zuhause Produkte Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln APT12M80B

APT12M80B

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Artikelnummer
APT12M80B
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)		 1Stck
$0.00000

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Artikelnummer
APT12M80B
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
13A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2470pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
335W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247 [B]
Paket / fall
TO-247-3

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